報告人簡介
張嘯天,美國賓夕法尼亞州立大學材料科學與工程學學士和博士,勞倫斯伯克利國家實驗室博士后,美國二維晶體中心(MIP-2DCC,美國二維材料生長國家級機構)創始成員。現任上海交通大學助理教授,博士生導師。在Nano Letter、ACS Nano、Advanced Materials等期刊上發表SCI論文30余篇,累計他引超1600次。榮獲IUCr Young Scientist Award和PCSI Young Scientist Award等國際會議獎項,于2024年榮登ScholarGPS外延領域全球前0.05%頂尖科學家榜單(第56名)。
內容簡介
自2004年石墨烯被發現以來,二維材料由于其優異而特殊的物理和化學特性而受到了人們的廣泛關注。其層與層之間的弱范德華相互作用和沒有表面懸空鍵的特點使二維材料在異質結構的構成及相關電子、光電、極性領域展現了卓越的潛力。針對二維薄膜規模化生長中存在的問題,我們通過對二維薄膜外延生長原理的探究,發明了二維材料單層薄膜及其異質結構的規模化可控外延生長工藝,并開發了適用于二維材料的新型金屬有機氣相沉積系統。通過開發的擴散控制生長方法,我們實現了MoS2、WSe2等二維過渡金屬硫族化物的兩英寸單層單晶薄膜制備,也實現了二維鐵電材料α-In2Se3薄厘米級單多層可控薄膜制備。與此同時,我們通過面內X光衍射、二次諧波繪圖、截面透射電鏡等方式,對大面積單層二維材料的外延性質和關系進行了研究與論證,并開發了適用于晶圓級二維材料性質和結構表征的新方法。